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光电探测器

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GS11XX光电探测器系列目前共有三个型号。其性能参数详见“技术指标列表”。该系列器件光谱响应范围为400nm～1100nm，具有高响应度、低暗电流、高可靠性等特点.

产品特点

①高响应度

②低暗电流

③结电容小

④性能稳定、可靠

应用领域

①激光引信、制导

②激光测距

③其他光电检测

技术指标

产品型号

参数名称

符号

测试条件 (TC=22±3℃)

最小值

典型值

最大值

单位

GS1102-1

光敏面直径

D

-

-

2

-

mm

光谱响应范围

λ

-

400

1064

1100

nm

响应度

Re

λ=850nm；VR=15V

0.5

-

-

μA/μW

λ=1064nm；VR=50V

0.28

-

-

μA/μW

结电容

Cj

f=1MHz；VR=50V

-

-

4

pF

上升时间

Tr

λ=1064nm；VR=50V

-

-

2

ns

暗电流

Id

VR=30V

-

-

10

nA

反向击穿电压

UBR

IR=10μA

150

-

-

V

GS1106-1

光敏面直径

D

-

-

6

-

mm

光谱响应范围

λ

-

400

1064

1100

nm

响应度

Re

λ=1064nm；VR=30V

0.25

-

-

μA/μW

结电容

Cj

f=1MHz；VR=50V

-

-

25

pF

上升时间

Tr

λ=1064nm；VR=30V

-

-

15

ns

暗电流

Id

VR=30V

-

-

1.5

μA

反向击穿电压

UBR

IR=10μA

80

-

-

V

GS1114-1

光敏面直径

D

-

-

14

-

mm

光谱响应范围

λ

-

400

1064

1100

nm

响应度

Re

λ=1064nm；VR=24V

0.2

-

-

μA/μW

结电容

Cj

f=1MHz；VR=50V

-

-

96

pF

上升时间

Tr

λ=1064nm；VR=50V

-

-

80

ns

暗电流

Id

VR=24V

-

-

1.5

μA

反向击穿电压

UBR

IR=10μA

80

-

-

V


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