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320x256短波红外探测器

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产品特点

①光谱响应范围为 0.9 μm~1.7 μm

②采用DIP型金属管壳气密性封装

③内置TEC制冷器,芯片工作温度可控

④积分时间可调,增益大小可选 

⑤输出端口1、2、4路可选

⑥支持多种积分/读出模式,支持开窗成像

应用领域

①低照度微光成像探测

②透雾、霾、烟尘等成像探测

③隐秘被动、主动成像监测,伪装探测

④激光标示与追踪,激光光斑监测

⑤Si 基半导体、太阳能电池芯片检测

⑥工业过程控制成像检测,艺术品鉴伪

技术指标

探测器类型

InGaAsp-on-n 型 PIN 光电二极管

面阵规模

320× 256

敏面

9.6mm×7.68mm

像元大小

30μm× 30μm

光谱响应范围

0.9μm~1.7μm

量子效率

≥ 65%(1.0μm~1.6μm)

光学填充因子

≥ 99%

有效像元率

≥ 99.5%(0.5~2倍平均响应)

输出噪声电压

≤ 1.5mV(高增益) / ≤ 1.0mV(低增益)

响应非均匀性

≤ 10%(非校正,  半饱和)

非线性度

≤ 3%(10%~90%饱和范围内)

平均峰值探测率

≥3E+12cm.Hz1/2/W (1.55μm,  高增益, 16ms)

最大像元读出速率

10MHz

满阱电荷

170Ke-(高增益)/ 3.5Me-(低增益)

最大开窗输出帧频

15.6Kfps(窗口尺寸:32行× 8列)

最大全幅输出帧频

100fps(1路)/200fps(2路)/300fps(4路)

器件重量

36g

光窗

蓝宝石

封装形式

DIP 型金属管壳气密性封装

焦平面至光窗外表面间距

2.2mm(光窗厚度为1.0mm)

工作温度范围

-40℃~+60℃

贮存温度范围

-40℃~+70℃

最大功耗

180mW(非制冷工作)/9mW(TEC 制冷工作)





服务热线: 029-81870090