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| 光电探测器 |
GS11XX光电探测器系列目前共有三个型号。其性能参数详见“技术指标列表”。该系列器件光谱响应范围为400nm～1100nm，具有高响应度、低暗电流、高可靠性等特点.
产品特点
①高响应度
②低暗电流
③结电容小
④性能稳定、可靠
应用领域
①激光引信、制导
②激光测距
③其他光电检测
技术指标
产品型号 | 参数名称 | 符号 | 测试条件 (TC=22±3℃) | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
GS1102-1 | 光敏面直径 | D | - | - | 2 | - | mm |
光谱响应范围 | λ | - | 400 | 1064 | 1100 | nm | |
响应度 | Re | λ=850nm；VR=15V | 0.5 | - | - | μA/μW | |
λ=1064nm；VR=50V | 0.28 | - | - | μA/μW | |||
结电容 | Cj | f=1MHz；VR=50V | - | - | 4 | pF | |
上升时间 | Tr | λ=1064nm；VR=50V | - | - | 2 | ns | |
暗电流 | Id | VR=30V | - | - | 10 | nA | |
反向击穿电压 | UBR | IR=10μA | 150 | - | - | V | |
GS1106-1 | 光敏面直径 | D | - | - | 6 | - | mm |
光谱响应范围 | λ | - | 400 | 1064 | 1100 | nm | |
响应度 | Re | λ=1064nm；VR=30V | 0.25 | - | - | μA/μW | |
结电容 | Cj | f=1MHz；VR=50V | - | - | 25 | pF | |
上升时间 | Tr | λ=1064nm；VR=30V | - | - | 15 | ns | |
暗电流 | Id | VR=30V | - | - | 1.5 | μA | |
反向击穿电压 | UBR | IR=10μA | 80 | - | - | V | |
GS1114-1 | 光敏面直径 | D | - | - | 14 | - | mm |
光谱响应范围 | λ | - | 400 | 1064 | 1100 | nm | |
响应度 | Re | λ=1064nm；VR=24V | 0.2 | - | - | μA/μW | |
结电容 | Cj | f=1MHz；VR=50V | - | - | 96 | pF | |
上升时间 | Tr | λ=1064nm；VR=50V | - | - | 80 | ns | |
暗电流 | Id | VR=24V | - | - | 1.5 | μA | |
反向击穿电压 | UBR | IR=10μA | 80 | - | - | V |
